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(1于高頻諧振電路,除要求電容器損耗小外,還要求容量有良好的溫度穩(wěn)定性,通常選用1類瓷介電容,其容量基本不隨溫度而變化,但其容量僅在幾PF~幾百PF之間。
(2)對于做低頻耦合、旁路、濾波的電容器,往往考慮小型及低成本是主要的,薄膜電容廠家而對損耗和容量的溫度穩(wěn)定性要求不高,一般可選用2類瓷介電容器,其容量選擇范圍較寬。
(3)陶瓷電容器雖然耐壓余量較薄膜電容器和電解電容器要大,但也不允許在超過其額定電壓的條件下使用,否則由于電極中的金屬離子在強電場作用下再陶瓷介質(zhì)中的遷移速度加快而導致電容器絕緣電阻下降而影響整機長期工作的可靠性。
(4)對于高溫和高壓條件下工作的電容器,應注意選用絕緣電阻較高的產(chǎn)品,以防因漏電增大產(chǎn)生惡性循環(huán)導致電容器失效。通常絕緣電阻IR≥10000MΩ。例如:在CRT加速極濾波位置應選用足夠的絕緣電阻;對于行逆程電路,因?qū)θ萘康姆€(wěn)定性和損耗要求較高,只能選用1類高壓瓷介電容器,做為聚丙烯電容的容量補償電容使用,否則會造成嚴重質(zhì)量隱患。